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    VMDT-20121A

    VMDT-20121A

    产品参数
  • 样品
    申请

    型号

    Inductance.(μH)

    DC Resistance max.(mΩ)

    Saturation Current typ.(A)

    工作温度(℃)

    长(mm)

    宽(mm)

    高(mm)

    封装

    屏蔽

    AEC等级

    PDF

  • 申请

    VMDT-20121A-R10M

    0.10

    13.0

    8.50

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-R22M

    0.22

    22.0

    7.30

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-R24M

    0.24

    23.0

    7.20

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-R33M

    0.33

    32.0

    6.50

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-R47M

    0.47

    36.0

    5.50

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-R68M

    0.68

    43.0

    5.00

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-1R0M

    1.00

    63.0

    4.00

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-1R5M

    1.50

    85.0

    3.20

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 申请

    VMDT-20121A-2R2M

    2.20

    150

    2.70

    -55~155

    2.0±0.3

    1.2±0.3

    0.8±0.20

    SMD

    Y

    Y

  • 18662590586
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