样品
申请
型号
Inductance.(μH)
DC Resistance max.(mΩ)
Saturation Current max.(A)
Heat Rating Current max.(A)
工作温度(℃)
长(mm)
宽(mm)
高(mm)
封装
屏蔽
AEC等级
EMFB-2012-R50M
0.5
0.4
75
35
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-2R0M
2.0
2.4
54
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-2R2M
2.2
2.4
50
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-3R3M
3.3
2.4
35
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-4R7M
4.7
2.4
24
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-6R8M
6.8
2.4
16
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-8R2M
8.2
2.4
13
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-100M
10
7.0
13
16
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-150M
15
7.0
10
16
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-220M
22
9.8
10
14
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-330M
33
9.8
7.0
14
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-R50M
0.5
0.4
75
35
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-2R0M
2.0
2.4
54
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-2R2M
2.2
2.4
50
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-3R3M
3.3
2.4
35
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-4R7M
4.7
2.4
24
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-6R8M
6.8
2.4
16
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-8R2M
8.2
2.4
13
28
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-100M
10
7.0
13
16
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-150M
15
7.0
10
16
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-220M
22
9.8
10
14
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
EMFB-2012-330M
33
9.8
7.0
14
-55~155
20.5±0.5
14.0±0.5
12.0max.
SMD
Y
N
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