样品
申请
型号
Inductance.(μH)
DC Resistance max.(mΩ)
Saturation Current max.(A)
Saturation Current typ.(A)
工作温度(℃)
长(mm)
宽(mm)
高(mm)
封装
屏蔽
AEC等级
EMDT-201212S-R11M
0.11
6.20
5.50
11.0
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
1.2max.
SMD
Y
N
EMDT-201212S-R24M
0.24
16.0
13.0
8.50
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
1.2max.
SMD
Y
N
EMDT-201212H-R24M
0.24
15.0
13.0
8.50
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
1.2max.
SMD
Y
N
EMDT-201212S-R33M
0.33
20.5
17.0
6.00
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
1.2max.
SMD
Y
N
EMDT-201212S-R47M
0.47
23.5
20.0
5.00
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
1.2max.
SMD
Y
N
EMDT-201212H-R47M
0.47
22.0
20.0
5.00
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
1.2max.
SMD
Y
N
EMDT-201212S-1R0M
1.00
48.0
40.0
3.60
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
1.2max.
SMD
Y
N
EMDT-201212S-1R5M
1.50
80.0
70.0
3.00
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
1.2max.
SMD
Y
N
EMDT-201212S-2R2M
2.20
130
115
2.40
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
1.2max.
SMD
Y
N
EMDT-201212S-3R3M
3.30
210
180
1.80
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
1.2max.
SMD
Y
N
EMDT-201212S-100M
10.0
500
440
1.20
-40~125
2.0±0.2
1.2±0.2
1.2max.
SMD
Y
N
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